三星晶圆代工（Samsung Foundry）的第二款3纳米节点据称受到低良率的影响

三星早些时候证实，其首款 3 纳米智能手机 SoC 采用其第二种 3 纳米工艺 （SF3GAP）。人们普遍认为它是下一代 Exynos 2500，它将为明年的 Galaxy S25 系列提供动力。然而，它可能还需要一段时间才能进入大规模生产，因为它仍然受到低产量的影响，正如韩国新闻媒体 Dealsite 的一份报告（通过 @Revegnus1 on X）所述。

在目前的状态下，三星3GAP节点的良率约为20%，这意味着晶圆上的10个芯片中有8个是有缺陷的。这远低于同一出版物早些时候的一份报告所强调的50%的数字。话又说回来，它没有具体说明它是 3GAP 还是原始的 3GAA。另一方面，台积电的 N3B 节点似乎更好，收益率为 ~55%。不幸的是，没有关于其继任者N3E的情况的消息。

尽管如此，20%仍然低得令人担忧，三星在开始大规模生产Exynos 2500和任何其他使用SF3GAP的芯片之前还有很多工作要做。Digitimes的一份报告称，三星将在2024年下半年开始大批量生产Exynos 2500。理想情况下，这应该会带来更多的工艺改进和更好的产量。

来源：IT时代网

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