三星将目光投向1000亿美元市场：3D DRAM有望实现爆炸性增长

根据半导体工程的一份报告，三星电子已将目光投向成为新兴 3D DRAM 存储器领域的领跑者。在 Memcon 2024 大会上发布的这一公告凸显了该公司的战略举措，以解决传统内存设计的局限性，因为该行业正在推动更小的芯片尺寸。

三星推出用于下一代内存解决方案的 3D DRAM 技术

预计在本十年的后半段，DRAM线宽将降至10nm以下，当前的内存架构已接近其扩展极限。这刺激了对 3D DRAM 等创新解决方案的探索，这些解决方案有望在减少容量和占用空间方面带来显著优势。

在 Memcon 2024 上，三星展示了 3D DRAM 的两项关键技术：垂直通道晶体管和堆叠式 DRAM。垂直通道晶体管代表了晶体管设计的根本转变。通过将电流通道从水平转向垂直，三星旨在显着减少晶体管的尺寸。然而，这种方法在蚀刻过程中也需要更高的精度。

另一方面，堆叠式 DRAM 专注于最大限度地提高空间利用率。与仅利用水平面的传统 2D DRAM 不同，堆叠式 DRAM 利用垂直维度（z 轴）在单个芯片内堆叠多层存储单元。这种创新方法有可能将单芯片容量提高到100GB以上，与目前的限制相比，这是一个巨大的飞跃。

3D DRAM技术的这些发展是三星长期路线图的一部分，旨在增强各种应用的内存能力，包括数据中心、消费电子产品以及人工智能和5G网络等新兴技术。

到 2028 年，3D DRAM 市场预计将达到惊人的 1000 亿美元。为了巩固其在这场竞赛中的领先地位，三星采取了积极措施，于今年早些时候在硅谷建立了一个专门的3D DRAM研究实验室。这一战略举措使他们能够吸引顶尖人才并加快研发工作。三星还在探索MUF技术，为服务器制造下一代DRAM。

三星在3D DRAM方面的雄心壮志标志着内存技术新时代的重大推动。如果成功，这项创新将为未来几年更强大、更紧凑的电子设备铺平道路。随着其他主要内存制造商争先恐后地追赶，这一领域的竞争肯定会加剧。然而，凭借其领先的开端和对研究的承诺，三星似乎处于有利地位，可以在3D DRAM革命中夺得桂冠。

来源：IT时代网

IT时代网(关注微信公众号ITtime2000，定时推送，互动有福利惊喜)所有原创文章版权所有，未经授权，转载必究。
创客100创投基金成立于2015年，直通硅谷，专注于TMT领域早期项目投资。LP均来自政府、互联网IT、传媒知名企业和个人。创客100创投基金对IT、通信、互联网、IP等有着自己独特眼光和丰富的资源。决策快、投资快是创客100基金最显著的特点。

相关文章

三星将目光投向1000亿美元市场：3D DRAM有望实现爆炸性增长