高通骁龙 8 Gen 4 功耗因新传闻揭晓

现在，骁龙 8 Gen 3 和 Galaxy 的骁龙 8 Gen 3 已经问世，是时候关注高通今年晚些时候为我们准备的东西了：骁龙 8 Gen 4 （SM8750）。到目前为止，泄漏显示它将配备 6 个 Phoenix L 和 2 个 Phoenix M CPU 内核。高通公司内部将其代号为Sun，如果有关其功耗的一些传言是准确的，这是理所当然的。

韩国科技论坛DCInside上的一篇文章称，其高性能内核之一可以消耗高达5.47瓦的功率。两个核心加起来使这个数字达到 9.32 瓦。这些是高通公司新的Nuvia（可能是Phoenix L）内核，而不是现成的Arm Cortex变体。同样，Phoenix M 磁芯在受压时每个磁芯消耗 1.1 瓦。在全核工作负载中，骁龙 8 Gen 4 的功耗高达 14.2 瓦。

这些数字是在早期的骁龙 8 Gen 4 工程样品上测量的，在发布前的几个月内可能会发生变化。14 瓦对于智能手机的外形来说有点太热了，需要强大的冷却解决方案来控制热量。再加上通过台积电的 N3E 工艺实现的晶体管密度增加，应该会给骁龙 8 Gen 4 带来与联发科天玑 9400 和三星 3GAP 的 Exynos 2500 竞争所需的竞争优势。

来源：IT时代网

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