三星推出“Shinebolt”HBM3E内存 优化非导电薄膜(NCF)技术

原标题：传输速率 1.2 TBps，三星推出“Shinebolt”HBM3E 内存

10 月 21 日消息，三星公司在今天举办的储存技术日活动中，向外界展示了诸多新产品，其中包括名为“Shinebolt”的下一代 HBM3E DRAM，可以满足下一代 AI 数据中心应用需求。

三星表示“Shinebolt”HBM3E DRAM 的每个引脚速度为 9.8Gbps，可以实现 1.2 TBps 的传输速率，不断提高总拥有成本（TCO），加快数据中心的 AI 模型训练和推理任务。

三星为了实现更多的层数堆叠并改善散热，优化了非导电薄膜 (NCF) 技术，以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高导热性。

三星的 8H 和 12H HBM3 产品目前正在批量生产中，Shinebolt 的样品正在向客户发货。凭借其作为整体半导体解决方案提供商的优势，该公司还计划提供定制的 turnkey 服务，将下一代 HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起。

IT之家从新闻稿中获悉，三星本次还展示了多款新品，包括具有业界最高容量的 32Gb DDR5 DRAM，业界首款 32Gbps GDDR7.此外还介绍了 PB 级 PBSSD，显著提升了服务器应用程序的存储功能。

来源：IT之家

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