至讯创新宣布成功研制19nm 2D NAND闪存芯片 预计明年年初全面投放市场

原标题：至讯创新宣布成功研制国内首款全自研中小容量 19nm 2D NAND 闪存芯片

12 月 13 日消息：至讯创新今日宣布，其自主研发的国内首款中小容量 19nm 2D NAND 闪存芯片研制成功，预计将于明年年初全面投放市场。

至讯创新表示，这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量 19nm 2D NAND 闪存芯片。产品将覆盖 512Mb、1Gb 和 2Gb 容量，提供 1.8V 和 3.3V 电压，并采用串行接口 SPI 和 WSON 封装。

据介绍，其可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。至讯创新数据显示，该产品实现了芯片面积缩小 40%，I / O 速度提升 25%，擦写周期提升 70%。

IT之家了解到，官方信息显示，至讯创新成立于 2021 年 10 月，总部位于江苏无锡，在上海、深圳、香港等地均已设立分支机构。目前，至讯创新正进行 A 轮融资。

来源：IT之家

IT时代网(关注微信公众号ITtime2000，定时推送，互动有福利惊喜)所有原创文章版权所有，未经授权，转载必究。
创客100创投基金成立于2015年，直通硅谷，专注于TMT领域早期项目投资。LP均来自政府、互联网IT、传媒知名企业和个人。创客100创投基金对IT、通信、互联网、IP等有着自己独特眼光和丰富的资源。决策快、投资快是创客100基金最显著的特点。

相关文章

至讯创新宣布成功研制19nm 2D NAND闪存芯片 预计明年年初全面投放市场